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物理学院“博约学术沙龙”系列报告第80期

发布日期:2014年05月06日
题 目:掺杂和应变对二硫化钼(MoS2)的输运性质调制

报告人:盖彦峰

指导老师:姚裕贵教授

时  间:2014年5月8日(星期四)下午4:10
地  点:中心教学楼610

ABSTRACT
MoS2是一种新型二维材料,因其独特的电子和光学特性受到广泛研究。处于可见光范围内的带隙(~1.9eV)使MoS2可以应用于半导体电子器件。而相对较低的载流子迁移率限制了其输运性能。在此我们通过计算单层MoS2的电声耦合以及本征载流子迁移率。发现:1、电子受到的主要散射来自 Mp声子;2、很小的应变(3%)就可以限制声子散射,将迁移率从275提高到1150 cm2V‐1s‐1。
 


联系方式:物理学院办公室 (68913163)
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