当前位置: 首页  >  学术报告

物理学院“博约学术沙龙”系列报告第28期

发布日期:2012年09月21日

时  间:   2012年9月24日(星期一)下午4:10
地  点:   中心教学楼609
报告一:博士生报告 时间:16:10-16:40
题  目: 量子点接触中电子自旋输运
报告人:  张建
摘要:我们采用了QPC模型,利用递归格林函数方法计算了Rashba自旋轨道耦合、磁场以及SPM的探针对QPC中电导的影响。计算结果表明:(1)将QPC分成 个格点,每一个格点位置分别以( )来表示,无论SPM探针位置随电子输运方向(即n的取值)的变化还是随垂直于电子输运的方向(m的取值)的变化,QPC的电导都有明显变化。m的取值决定了对第几个电导台阶的影响,n的取值决定了对电导台阶影响的程度。当探针位于同一m值位置上时,沿着电子输运方向越靠近QPC中心对每一个电导台阶的影响都增大,而探针在垂直于电子输运方向上运动时对不同的电导量子化台阶产生影响。这些结果与Topinka等人的实验相吻合。(2)当存在垂直磁场(垂直于量子点接触所处的二维电子气平面)时,随着磁场的增加QPC电导随门电压的变化呈周期性增加并且遂穿通道传输模式增加。磁场越大同一门电压下电导增加的振幅越大,自旋轨道耦合引起的震荡变的越强,并使探针对电导的影响减小。随磁场的增加电导周期性增加,并且增幅随磁场的增加而变大,这与Shubnikov-de Haas效应是一致的。理论研究结果使磁场、SPM的探针对材料内部电荷分布及电子输运的影响更加清晰,为半导体材料器件的开发及新一代微电子器件的研制提供理论依据。
报告二:硕士生报告 时间:16:40-17:10
题  目:    CdSSe纳米线的光电导性质和CdSe纳米片的光学性质研究
报告人:    高坤
摘要:采用化学气相沉积方法(CVD)集成生长CdSxSe1-x合金纳米线和CdSe纳米片。纳米/微米级的CdSxSe1-x合金纳米线克服了不同的半导体材料间的晶格匹配问题。不同组分的合金纳米线在基底上的渐变的位置生长,可以实现不同能量光子的最大响应,从而实现宽带均一响应的高灵敏光探测。具有规则几何形状的CdSe纳米片由于其类一维的几何结构,可以得到多模的随机激光。研究CdSe纳米片的光电导性质,发现其对于光的输出位置具有一定的选择特性。
联系方式:物理学院办公室(68913163)
更多信息请关注物理学院网站physics.bit.edu.cn

XML 地图 | Sitemap 地图